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SK 50 GD 066 ET /IGBT Half-Bridge Ultrafast, 1200V, SEMITRANS
SK 50 GD 066 ET的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Collector Current60 A

Collector to Emitter Shorted Voltage600 V

Collector to Emitter Voltage600 V

ConfigurationArray

Dimensions55 x 31 x 12 mm

Energy Rating3.1 mJ

Gate Capacitance3.1 nF

Gate to Emitter Voltage±20 V

Height0.472" (12mm)

Length2.165" (55mm)

Maximum Operating Temperature+175 °C

Minimum Operating Temperature-40 °C

Mounting TypeThrough Hole

Number of Pins19

Package TypeT-52

PolarityN-Channel

Primary TypeSi

Product HeaderN-Channel IGBT Module

SeriesIGBT Series

Temperature Operating Range-40 to +175 °C

Transistor TypeIGBT

TypeTrench

Width1.22" (31mm)

供应商SK 50 GD 066 ET
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